Las uniones de túnel podría tener un gran impacto dispositivos de nitruro de galio y aluminio basados en nitruro tales como diodos emisores de luz y láser superan los desafíos críticos relacionados con la inyección de huecos p- y contactos. En el artículo se muestra el uso de nanoislas GDN para mejorar la inyección entre bandas de túnel y el agujero en uniones pn de GaN en varios órdenes de magnitud, lo que resulta en la salida del túnel de baja resistividad específica (1,3 X 10-3 Ωcm2) en comparación con los resultados anteriores de semiconductores en la banda ancha de gap. La inyección en el túnel de los agujeros fue confirmada por el funcionamiento a baja temperatura de la union pn de GaN con una capa de contacto con un túnel, y fuerte electroluminiscencia hasta 20K. La resistencia a la salida del túnel bajo combinado con una baja pérdida de absorción óptica en la GDN es muy prometedor para su incorporación en emisores de luz basados en GaN.

Sriram Krishnamoorthy, Thomas F Kent, Jing Yang, Pil Sung Park, Roberto C Myers, and Siddharth Rajan

Nano Letters Just Accepted Manuscript

Texto disponible en: http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl4006723?prevSearch=molecular%2Belectronics&searchHistoryKey=

Moletrónica y Electrónica Molecular