Para la construccion de dispositivos a escala nanometrica hay dos metodos de botton-up y top-down, un ejemplo es en la construcción de complejos de dos o tres dimensiones en una combinacion de ambos métodos lo cual hace que la colocación a escala nanométrica sea precisa, se puede usar en varios materiales y es fácil de escalar. Lo primero que se debe hacer en una imagen una monocapa autoensamblada mediante luz UV, después de esto un SAM es adsorbido en las áreas que no se tenga y por último se hace una deposición de vapor empleando átomos del metal a usar.
Una nueva técnica que se tiene para depositar una capa metálica es el ELD, una técnica suave en el que la deposición se produce a través promovido la reducción de iones metálicos químicamente sin un potencial aplicado externamente
Se pueden llegar a producir complejas estructuras de peliculas delgadas metalorgánicas 2D y 3D, mediante este método y al utilizar SAM se puede hacer un depositado selectivo.
Walker, A. V. (2011). Towards Molecular Electronics: Solution-Based Methods for Selective Deposition of Metals and Semiconductors.AIP Conference Proceedings, 1391(1), 12-15. doi:10.1063/1.3646768
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