Young Min, Leslie Jimison, Amit
Desai y Alberto Salleo investigaron
la fabricación basada en solución de alto-k ZrO2 de películas delgadas de transistores de
efecto de campo orgánicos que funciona por bajo voltaje (OFETs). Un método alternativa
de curado es el UV para la
densificación de las películas de gel basados en Zr, lo que permite el
procesamiento de baja temperatura, se compara con el método de recocido térmico
convencional. El análisis elemental muestra que la microestructura y el curado
por UV induce la descomposición de los enlaces orgánico-metálicos y hace la
densificación de la película de óxido de metal, tal como el recocido térmico
convencional de películas de gel, lo que resulta en una capa dieléctrica de
alto k entre Zr basado en soluciones. Además, encontraron que las bajas temperaturas asociadas con curado
UV evita que la capa de interfaz se mezcle con el sustrato. Particulas
fabricadas de ZrO2 (5-6 nm de espesor) tratados con un
ácido octadecylphosphonic auto-ensamblado con exposición baja densidad de
corriente de fuga (por debajo de 10-6 a 10-7 A/cm2) a 3 V y de alta resistencia
de ruptura dieléctrica (V> 4V ). Usando esta capa dieléctrica, la solución
procesable de polímeros de OFETs con PBTTT-C-14 tiene la función de
semiconductor orgánico a bajo voltaje (por debajo de -3 V.) El efecto de la SAM
sobre la morfología y la microestructura del semiconductor orgánico depositado
sobre los dieléctricos son ZrO2 todavia investigados.
Solution-processable zirconium
oxide gate dielectrics for flexible organic field effect transistors operated
at low voltages
Young Min Park, Leslie H
Jimison, Amit Desai, and Alberto Salleo
Chemistry
of Materials Just Accepted
Manuscript
Texto disponible en:
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/cm303547a?prevSearch=molecular%2Belectronics&searchHistoryKey=
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