La electrónica transparente es una de las tecnologías emergentes más importantes para los sistemas electrónicos de última generación, y ha atraído recientemente gran interés debido a su potencial de hacer un impacto significativo en campos como pantallas transparentes, almacenamiento de energía transparentes, detectores de ultravioleta (UV), y células solares.
En este paper reportan la fabricación de una memoria de acceso aleatorio resistiva totalmente transparente (sol-TRRAM) con una construcción de ITO / GaZnO (GZO) / ITO. Todas las capas, incluyendo una capa activa y superior e inferior electrodos de ITO, se depositaron sobre un sustrato de vidrio ya sea por recubrimiento por centrifugación o la impresión de inyección de tinta usando una solución de sol-Gel, el dispositivo presenta una buena transmitancia, cerca del 85%.
Este sol-TRRAM implica el mecanismo de cambio resistido eléctrica sin la formación de un filamento estructural o capa interfacial adicional. Este comportamiento de conmutación resistiva, que se produce sin cambios microestructurales significativos, puede ser fácilmente aprovechado para su uso en dispositivos de memoria con conmutación estable y larga vida útil.
Se ve muy prometedor, ya que ademas de memorias, podríamos tener documentos electrónicos flexibles y ventanas inteligentes.
Areum Kim, Keunkyu Song, Youngwoo Kim, and Jooho Moon. All Solution-Processed, Fully Transparent Resistive Memory Devices. ACS Appl. Mater. Interfaces 2011, 3, 4525–4530
No hay comentarios:
Publicar un comentario