Se ha creado un laser semiconductor en la universidad de Texas con la ayuda de Taiwan y China, este laser esta construido por un nanorod de nitruro de galio con indio, ambos usados en LED, el nanorod es localizado en una delgada capa de silicon. El campo electromagnético resonante se concentra en la capa de dióxido de silicio en una brecha de 5 nm de espesor insertado por el nanorod y la película de plata atómicamente lisa.
Los nanolasers, son dispositivos fotónicos podrían utilizar nanolásers para generar señales ópticas y transmitir información, y tienen el potencial para reemplazar los circuitos electrónicos. Sin embargo, el tamaño y el rendimiento de los dispositivos fotónicos se han limitado por lo que se conoce como el límite de difracción óptica tridimensional.
Los nanoláseres como éste podrían permitir el desarrollo de chips que todos los procesos están contenidos en el chip, los llamados sistemas de comunicación "on-chip". Esto evitaría que las ganancias de calor y la pérdida de la información típicamente asociada con dispositivos electrónicos que pasan los datos entre varios chips.
más informacion: http://www.utexas.edu/news/2012/07/26/smallest-semiconductor-laser-created-ut-scientists/
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