Biomolecular recognition with a sensitivity-enhanced nanowire transistor biosensor

El artículo publicado recientemente en Biosensors & Bioelectronics de “Biomolecular recognition with a sensitivity-enhanced nanowire transistor biosensor.” Se estudia el uso de una técnica de bottom-up, donde se han fabricado con éxito la superficie selectiva modificada (SSM) SiNW-FET con los receptores solamente en la superficie de detección SiNW. En este enfoque, la estrategia consistió en modificar los SiNWs con un enlazador químico de 3-aminopropiltrimetoxisilano (APTMS) antes de la fabricación fotolitográfica del dispositivo. Las moléculas de los modificadores de APTMS SiNWs sobrevivieron a los duros procesos fotolitográficos, incluyendo recubrimiento con resina fotosensible, lavado con disolvente orgánico, y recocido térmico. Estos SSM SiNW-FET también mostraron características eléctricas deseables tales como el contacto óhmico y de alta transconductancia. Usando el sistema de unión biotina-avidina, se demostró que el tiempo de respuesta más rápido y requisitos de muestra más pequeños de la SSM SiNW-FET, con respecto a la convencional AAM SiNW-FET, lo que muestra claramente que la restricción de la modificación de la superficie de la SiNW-FET mejora sustancialmente su sensibilidad de detección. En mediciones de afinidad de unión con SiNW-FET, las constantes de disociación (K d) de los complejos de ácido biotina-avidina y la dopamina-bórico se determinó que eran 15 ± 1 fM y 33 ± 8FM, respectivamente.


Li, B., Chen, C., Yang, W., Lin, T., Pan, C., & Chen, Y. (2013). Biomolecular recognition with a sensitivity-enhanced nanowire transistor biosensor. Biosensors & Bioelectronics, 45252-259. doi:10.1016/j.bios.2013.02.009
Artículo disponible en: http://www.iams.sinica.edu.tw/project/ytchen/files/biomolecular_recognition_with_a_sensitivity-enhanced_nanowire_transistor_biosensor.pdf