Solution-processable zirconium oxide gate dielectrics for flexible organic field effect transistors operated at low voltages

Young Min, Leslie Jimison, Amit Desai y Alberto Salleo investigaron la fabricación basada en solución de alto-k ZrO₂  de películas delgadas de transistores de efecto de campo orgánicos que funciona por bajo voltaje (OFETs). Un método alternativa de curado  es el UV para la densificación de las películas de gel basados ​​en Zr, lo que permite el procesamiento de baja temperatura, se compara con el método de recocido térmico convencional. El análisis elemental muestra que la microestructura y el curado por UV induce la descomposición de los enlaces orgánico-metálicos y hace la densificación de la película de óxido de metal, tal como el recocido térmico convencional de películas de gel, lo que resulta en una capa dieléctrica de alto k entre Zr basado en soluciones. Además,  encontraron que las bajas temperaturas asociadas con curado UV evita que la capa de interfaz se mezcle con el sustrato. Particulas fabricadas  de ZrO₂  (5-6 nm de espesor) tratados con un ácido octadecylphosphonic auto-ensamblado con exposición baja densidad de corriente de fuga (por debajo de 10-6 a 10-7 A/cm2) a 3 V y de alta resistencia de ruptura dieléctrica (V> 4V ). Usando esta capa dieléctrica, la solución procesable de polímeros de OFETs con PBTTT-C-14 tiene la función de semiconductor orgánico a bajo voltaje (por debajo de -3 V.) El efecto de la SAM sobre la morfología y la microestructura del semiconductor orgánico depositado sobre los dieléctricos son ZrO2 todavia investigados.

 

 

Solution-processable zirconium oxide gate dielectrics for flexible organic field effect transistors operated at low voltages

Young Min Park, Leslie H Jimison, Amit Desai, and Alberto Salleo

Chemistry of Materials Just Accepted Manuscript

 

Texto disponible en:

http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/cm303547a?prevSearch=molecular%2Belectronics&searchHistoryKey=