Molecular Rotors as Switches

En este articulo describen un switch compuesto de rotores moleculares. El rotor se compone de una monocapa de compuestos de cobre ligados con actividad redox intercalados entre un electrodo de oro y un P+Si altamente dopado. La velocidad de rotación de este tipo de rotor molecular se encuentra en los picosegundos, lo que proporciona un potencial muy prometedor para las aplicaciones de alta velocidad de conmutación. El análisis del dispositivo de características corriente vs voltaje, sugiere que la fuente de los efectos observados de conmutación es resultado de la rotación inducida por ligando redox alrededor del centro de metal de cobre y esta atribución de conmutación es consistente con la dependencia de la temperatura observada del comportamiento de conmutación, así como el diagrama de energía propuesto del dispositivo (disponible en el articulo).

La conmutación de la resistencia observada demuestra el potencial para futuras memorias no volátiles y la lógica de aplicaciones de dispositivos. Además de la descripción del switch, es interesante que se discuten los avances y la perspectiva de dispositivos moleculares para la nanoelectrónica y otras aplicaciones. 

 Mei, X., & Kang L., W. (2012). Molecular Rotors as Switches. Sensors (14248220), 12(9), 11612-11637. doi:10.3390/s120911612 

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Memoria RaceTrack de IBM

Memoria Racetrack de IBM: la velocidad de la memoria DRAM y capacidad de los discos magnéticos

IBM ha sido capaz de crear un nuevo tipo de memoria no volátil que puede alcanzar las velocidades de la memoria RAM que podemos encontrar en los ordenadores convencionales y la densidad de almacenamiento de los discos duros magnéticos.

La memoria no volátil — que no pierde la información acumulada al no recibir alimentación, y puede usarse por lo tanto como almacenamiento contínuo — desarrollada por la firma americana funciona almacenando bits de información — unos y ceros — en unas pequeñas bandas magnéticas en alambres de nickel y hierro de medidas nanométricas, que pueden ver alterado su orientación magnética al recibir pequeños impulsos eléctricos.

La parte increible es que estos bits se escriben o leen en tan solo 20 o 30 nanosegundos, tiempo infinitamente inferior al de los discos duros más avanzados del mercado actual. Lo que han conseguido los investigadores de IBM con este prototipo es juntar todos los componentes que anteriormente se encontrarían separados de la unidad que contenía los nano-alambres en un solo chip, con tecnología de producción CMOS actual, sin necesidad de adaptarla, lo que haría posible una fabricación en masa instantánea, tan pronto como la tecnología esté lo suficientemente refinada, para lo que quizás todavía falta un tiempo, según la firma. 

La característica estrella de la memoria Racetrack es la capacidad potencial de almacenar un gran número de bits en uno solo de esos diminutos alambres, aunque Ravelosona asegura que los materiales utilizados por IBM no tienen las características magnéticas necesarias para ello. 

Ese es uno de los obstáculos que IBM deberá superar para traer una tecnología de almacenamiento del futuro a los equipos de "hoy en día", con la capacidad de hacer olvidar a los omnipresentes SSD, y potencialmente, a otras tecnologías igual de prometedoras, como el sistema Moneta del que os hablamos a comienzos del verano. Sin quejas por aquí, cuantas más opciones, mejor para el consumidor. 

Fuente: http://gizmologia.com/2011/12/memoria-racetrack-de-ibm-la-velocidad-de-la-memoria-dram-y-capacidad-de-los-discos-magneticos?utm_source=self&utm_medium=nav&utm_campaign=Relacionados